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APTM120H29FG

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产品型号
APTM120H29FG
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$224.87630
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$224.87630

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产品型号
APTM120H29FG
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
零件状态
Active
FET型
4 N-Channel (H-Bridge)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
34A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
348 mOhm @ 17A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 5mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
374nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
10300pF @ 25V
功率 - 最大
780W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP6
供应商设备封装
SP6

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