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NVMFD5C650NLWFT1G

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产品型号
NVMFD5C650NLWFT1G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$1.20135
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$1.20135

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产品型号
NVMFD5C650NLWFT1G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
21A (Ta), 111A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
4.2 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.2V @ 98µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
16nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2546pF @ 25V
功率 - 最大
3.5W (Ta), 125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商设备封装
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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