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GP1M020A060N

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产品型号
GP1M020A060N
制造商
Global Power Technologies Group, Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
GP1M020A060N.pdf
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产品型号
GP1M020A060N
制造商
Global Power Technologies Group, Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
20A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
330 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
76nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2097pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
347W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-3PN
封装/箱体
TO-3P-3, SC-65-3

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