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DMN10H170SFG-7

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产品型号
DMN10H170SFG-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMN10H170SFG-7.pdf
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产品型号
DMN10H170SFG-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
122 mOhm @ 3.3A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
14.9nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
870.7pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
940mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PowerDI3333-8
封装/箱体
8-PowerWDFN

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