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TSM110NB04LCR RLG

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产品型号
TSM110NB04LCR RLG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
TSM110NB04LCR RLG.pdf
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产品型号
TSM110NB04LCR RLG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
12A (Ta), 54A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
11 mOhm @ 12A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
23nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1269pF @ 20V
FET特点
-
功率耗散(最大)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
8-PDFN (5x6)
封装/箱体
8-PowerTDFN

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