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FDME430NT

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产品型号
FDME430NT
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FDME430NT.pdf
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产品型号
FDME430NT
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
6A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.8V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
40 mOhm @ 6A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
9nC @ 4.5V
VGS(最大)
±12V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
760pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.1W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
MicroFet 1.6x1.6 Thin
封装/箱体
6-PowerUFDFN

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