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IRF6702M2DTR1PBF

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产品型号
IRF6702M2DTR1PBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IRF6702M2DTR1PBF.pdf
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产品型号
IRF6702M2DTR1PBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
15A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
6.6 mOhm @ 15A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.35V @ 25µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
14nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1380pF @ 15V
功率 - 最大
2.7W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
DirectFET™ Isometric MA
供应商设备封装
DIRECTFET™ MA

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