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NTMD6N02R2

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产品型号
NTMD6N02R2
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
NTMD6N02R2
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.92A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
35 mOhm @ 6A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
20nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1100pF @ 16V
功率 - 最大
730mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装
8-SOIC

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