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IRFHM792TR2PBF

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产品型号
IRFHM792TR2PBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IRFHM792TR2PBF.pdf
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产品型号
IRFHM792TR2PBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
2.3A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
195 mOhm @ 2.9A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 10µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
6.3nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
251pF @ 25V
功率 - 最大
2.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
供应商设备封装
8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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