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FDC6401N

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产品型号
FDC6401N
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FDC6401N.pdf
总计:$0.20989
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产品型号
FDC6401N
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
70 mOhm @ 3A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
4.6nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
324pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备封装
SuperSOT™-6

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