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APTM100A18FTG

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产品型号
APTM100A18FTG
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$111.03770
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$111.03770

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产品型号
APTM100A18FTG
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
43A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
210 mOhm @ 21.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 5mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
372nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
10400pF @ 25V
功率 - 最大
780W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP4
供应商设备封装
SP4

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