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SI3590DV-T1-GE3

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产品型号
SI3590DV-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI3590DV-T1-GE3.pdf
总计:$0.38985
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产品型号
SI3590DV-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
零件状态
Active
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
2.5A, 1.7A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
77 mOhm @ 3A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
4.5nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
功率 - 最大
830mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备封装
6-TSOP

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