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CSD85301Q2T

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产品型号
CSD85301Q2T
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
CSD85301Q2T
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate, 5V Drive
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
5A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
27 mOhm @ 5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
5.4nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
469pF @ 10V
功率 - 最大
2.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-WDFN Exposed Pad
供应商设备封装
6-WSON (2x2)

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