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PMDPB58UPE,115

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产品型号
PMDPB58UPE,115
制造商
Nexperia
描述
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
PMDPB58UPE,115.pdf
总计:$0.19550
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产品型号
PMDPB58UPE,115
制造商
Nexperia
描述
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
零件状态
Active
FET型
2 P-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.6A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
67 mOhm @ 2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
950mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
9.5nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
804pF @ 10V
功率 - 最大
515mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-UDFN Exposed Pad
供应商设备封装
6-HUSON-EP (2x2)

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