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TSM1NB60CH C5G

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产品型号
TSM1NB60CH C5G
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
TSM1NB60CH C5G.pdf
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产品型号
TSM1NB60CH C5G
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
10 Ohm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
6.1nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
138pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
39W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-251 (IPAK)
封装/箱体
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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