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IPP052NE7N3GHKSA1

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产品型号
IPP052NE7N3GHKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPP052NE7N3GHKSA1.pdf
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产品型号
IPP052NE7N3GHKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
75V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
80A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
5.2 mOhm @ 80A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.8V @ 91µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
68nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
4750pF @ 37.5V
FET特点
-
功率耗散(最大)
150W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
PG-TO220-3
封装/箱体
TO-220-3

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