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NTLUS3A39PZCTBG

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产品型号
NTLUS3A39PZCTBG
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
NTLUS3A39PZCTBG.pdf
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产品型号
NTLUS3A39PZCTBG
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
零件状态
Obsolete
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.4A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
39 mOhm @ 4A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
10.4nC @ 4.5V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
920pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
600mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
6-UDFN (1.6x1.6)
封装/箱体
6-PowerUFDFN

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