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IPI032N06N3GAKSA1

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产品型号
IPI032N06N3GAKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 60V 120A
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPI032N06N3GAKSA1.pdf
总计:$3.06000
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$3.06000

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产品型号
IPI032N06N3GAKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 60V 120A
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
120A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3.2 mOhm @ 100A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 118µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
165nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
13000pF @ 30V
FET特点
-
功率耗散(最大)
188W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
PG-TO262-3
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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