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FGB20N60SF

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产品型号
FGB20N60SF
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 40A 208W D2PAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FGB20N60SF.pdf
总计:$1.62435
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产品型号
FGB20N60SF
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 40A 208W D2PAK
零件状态
Active
IGBT类型
Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
40A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
60A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.8V @ 15V, 20A
功率 - 最大
208W
开关能量
370µJ (on), 160µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
65nC
TD(开/关)@ 25℃
13ns/90ns
测试条件
400V, 20A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK

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