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STGWA60H65DFB

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产品型号
STGWA60H65DFB
制造商
STMicroelectronics
描述
IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STGWA60H65DFB.pdf
总计:$5.95000
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$5.95000

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产品型号
STGWA60H65DFB
制造商
STMicroelectronics
描述
IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
零件状态
Active
IGBT类型
Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
80A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
240A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2V @ 15V, 60A
功率 - 最大
375W
开关能量
1.59mJ (on), 900µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
306nC
TD(开/关)@ 25℃
66ns/210ns
测试条件
400V, 60A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
60ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247 Long Leads

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