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BSC150N03LDGATMA1

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产品型号
BSC150N03LDGATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BSC150N03LDGATMA1.pdf
总计:$0.41447
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$0.41447

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产品型号
BSC150N03LDGATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
8A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
15 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
13.2nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1100pF @ 15V
功率 - 最大
26W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
供应商设备封装
PG-TDSON-8 Dual

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