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ZXMHC10A07N8TC

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产品型号
ZXMHC10A07N8TC
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
ZXMHC10A07N8TC.pdf
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产品型号
ZXMHC10A07N8TC
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
零件状态
Active
FET型
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
800mA, 680mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
700 mOhm @ 1.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
2.9nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
138pF @ 60V
功率 - 最大
870mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装
8-SOP

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