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2SK2887TL

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产品型号
2SK2887TL
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
2SK2887TL
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
900 mOhm @ 1.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
8.5nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
230pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
20W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
CPT3
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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