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FQP9N25CTSTU

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产品型号
FQP9N25CTSTU
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FQP9N25CTSTU.pdf
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产品型号
FQP9N25CTSTU
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
8.8A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
430 mOhm @ 4.4A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
35nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
710pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
74W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220-3
封装/箱体
TO-220-3

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