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TK16C60W,S1VQ

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产品型号
TK16C60W,S1VQ
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$4.37000
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产品型号
TK16C60W,S1VQ
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
15.8A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
190 mOhm @ 7.9A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.7V @ 790µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
38nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1350pF @ 300V
FET特点
-
功率耗散(最大)
130W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
I2PAK
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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