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IRL40T209ATMA1

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产品型号
IRL40T209ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IRL40T209ATMA1.pdf
总计:$3.51120
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$3.51120

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产品型号
IRL40T209ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
300A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
0.72 mOhm @ 100A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
269nC @ 4.5V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
16000pF @ 20V
FET特点
-
功率耗散(最大)
500W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-HSOF-8-1
封装/箱体
8-PowerSFN

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