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DMN1019USN-13

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产品型号
DMN1019USN-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMN1019USN-13.pdf
总计:$0.13139
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产品型号
DMN1019USN-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
9.3A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.2V, 2.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
800mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
50.6nC @ 8V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2426pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
680mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SC-59
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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