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PHD36N03LT,118

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产品型号
PHD36N03LT,118
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
PHD36N03LT,118.pdf
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产品型号
PHD36N03LT,118
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
43.4A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
17 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
18.5nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
690pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
57.6W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
DPAK
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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