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IXTN32P60P

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产品型号
IXTN32P60P
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IXTN32P60P.pdf
总计:$24.05000
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$24.05000

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产品型号
IXTN32P60P
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
32A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
350 mOhm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
196nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
11100pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
890W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
供应商设备封装
SOT-227B
封装/箱体
SOT-227-4, miniBLOC

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