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APTM120DA30CT1G

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产品型号
APTM120DA30CT1G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
APTM120DA30CT1G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
31A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
360 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
560nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
14560pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
657W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
供应商设备封装
SP1
封装/箱体
SP1

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