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DMN63D8LDWQ-7

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产品型号
DMN63D8LDWQ-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMN63D8LDWQ-7.pdf
总计:$0.07644
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产品型号
DMN63D8LDWQ-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
220mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
2.8 Ohm @ 250mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.87nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
22pF @ 25V
功率 - 最大
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装
SOT-363

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