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ZXMN10A25K

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产品型号
ZXMN10A25K
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
ZXMN10A25K.pdf
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产品型号
ZXMN10A25K
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4.2A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
125 mOhm @ 2.9A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
17.16nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
859pF @ 50V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.11W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TO-252-3
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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