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FDB035AN06A0

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产品型号
FDB035AN06A0
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$2.85143
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$2.85143

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产品型号
FDB035AN06A0
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
22A (Ta), 80A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3.5 mOhm @ 80A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
124nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
6400pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
310W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
D²PAK
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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