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RJK5012DPP-E0#T2

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产品型号
RJK5012DPP-E0#T2
制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
RJK5012DPP-E0#T2.pdf
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产品型号
RJK5012DPP-E0#T2
制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
零件状态
Last Time Buy
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
12A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
620 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
29nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1100pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
30W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220FP
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack

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