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MUN5111DW1T1G

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产品型号
MUN5111DW1T1G
制造商
ON Semiconductor
描述
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.04420
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产品型号
MUN5111DW1T1G
制造商
ON Semiconductor
描述
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
零件状态
Active
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极(Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻 - 基(R 1)
10 kOhms
电阻器 - 发射极基极(R2)
10 kOhms
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce
35 @ 5mA, 10V
Vce饱和(最大)@ IB,IC
250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大)
500nA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
250mW
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装
SC-88/SC70-6/SOT-363

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