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BSM10GD120DN2E3224BOSA1

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产品型号
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$56.91000
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$56.91000

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产品型号
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
零件状态
Not For New Designs
IGBT类型
-
组态
Full Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
15A
功率 - 最大
80W
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
3.2V @ 15V, 10A
电流 - 集电极截止(最大)
400µA
输入电容(连锁商店)@的Vce
530pF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻器
No
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
供应商设备封装
Module

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