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W987D2HBJX6E TR

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产品型号
W987D2HBJX6E TR
制造商
Winbond Electronics
描述
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
W987D2HBJX6E TR.pdf
总计:$2.18391
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$2.18391

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产品型号
W987D2HBJX6E TR
制造商
Winbond Electronics
描述
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
零件状态
Not For New Designs
内存类型
Volatile
存储格式
DRAM
技术
SDRAM - Mobile LPSDR
内存大小
128Mb (4M x 32)
时钟频率
166MHz
写周期时间 - 字,页面
15ns
访问时间
5.4ns
内存接口
Parallel
电压 - 电源
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-25°C ~ 85°C (TC)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
90-TFBGA
供应商设备封装
90-VFBGA (8x13)

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