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FDD26AN06A0-F085

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产品型号
FDD26AN06A0-F085
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.61831
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产品型号
FDD26AN06A0-F085
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
7A (Ta), 36A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
26 mOhm @ 36A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
17nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
800pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
75W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TO-252AA
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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