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NGTG35N65FL2WG

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产品型号
NGTG35N65FL2WG
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 650V 60A 167W TO247
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$4.31000
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$4.31000

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产品型号
NGTG35N65FL2WG
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 650V 60A 167W TO247
零件状态
Active
IGBT类型
Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
70A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
120A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2V @ 15V, 35A
功率 - 最大
300W
开关能量
840µJ (on), 280µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
125nC
TD(开/关)@ 25℃
72ns/132ns
测试条件
400V, 35A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247-3

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