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H11F1TVM

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产品型号
H11F1TVM
制造商
ON Semiconductor
描述
OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
H11F1TVM.pdf
总计:$3.70000
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(以美元)
1pcs
$3.70000

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产品型号
H11F1TVM
制造商
ON Semiconductor
描述
OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
零件状态
Active
通道数
1
电压 - 隔离
7500Vpk
电流传输比(最小值)
-
电流传输比(最大)
-
开启/关闭时间(典型值)
45µs, 45µs (Max)
上升/下降时间(典型值)
-
输入类型
DC
输出类型
MOSFET
电压 - 输出(最大)
30V
电流 - 输出/通道
-
电压 - 正向(Vf)(典型值)
1.3V
电流 - DC正向(If)(最大)
60mA
Vce饱和(最大)
-
工作温度
-40°C ~ 100°C
安装类型
Through Hole
封装/箱体
6-DIP (0.400", 10.16mm)
供应商设备封装
6-DIP

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