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IRFH7911TRPBF

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产品型号
IRFH7911TRPBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IRFH7911TRPBF.pdf
总计:$1.25111
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$1.25111

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产品型号
IRFH7911TRPBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
零件状态
Not For New Designs
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
13A, 28A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
8.6 mOhm @ 12A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.35V @ 25µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
12nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1060pF @ 15V
功率 - 最大
2.4W, 3.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
18-PowerVQFN
供应商设备封装
PQFN (5x6)

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