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APTM60A11FT1G

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产品型号
APTM60A11FT1G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
APTM60A11FT1G.pdf
总计:$37.86750
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$37.86750

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产品型号
APTM60A11FT1G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
40A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
132 mOhm @ 33A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
330nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
10552pF @ 25V
功率 - 最大
390W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP1
供应商设备封装
SP1

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