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BSG0810NDIATMA1

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产品型号
BSG0810NDIATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BSG0810NDIATMA1.pdf
总计:$1.12112
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产品型号
BSG0810NDIATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET特点
Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
19A, 39A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
8.4nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1040pF @ 12V
功率 - 最大
2.5W
工作温度
-55°C ~ 155°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商设备封装
PG-TISON-8

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