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1N6484HE3/97

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产品型号
1N6484HE3/97
制造商
Vishay
描述
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
1N6484HE3/97.pdf
总计:$0.13272
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产品型号
1N6484HE3/97
制造商
Vishay
描述
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
1000V
电流 - 平均整流(Io)
1A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
1.1V @ 1A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
-
电流 - Vr时反向漏电
10µA @ 1000V
电容@ Vr,F时
8pF @ 4V, 1MHz
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
DO-213AB, MELF (Glass)
供应商设备封装
DO-213AB
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C

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