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SI7900AEDN-T1-GE3

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产品型号
SI7900AEDN-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI7900AEDN-T1-GE3.pdf
总计:$0.55760
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产品型号
SI7900AEDN-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
6A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
900mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
16nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
功率 - 最大
1.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® 1212-8 Dual
供应商设备封装
PowerPAK® 1212-8 Dual

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