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STGW10M65DF2

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产品型号
STGW10M65DF2
制造商
STMicroelectronics
描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STGW10M65DF2.pdf
总计:$1.86000
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产品型号
STGW10M65DF2
制造商
STMicroelectronics
描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
零件状态
Active
IGBT类型
Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
20A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
40A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2V @ 15V, 10A
功率 - 最大
115W
开关能量
120µJ (on), 270µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
28nC
TD(开/关)@ 25℃
19ns/91ns
测试条件
400V, 10A, 22 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
96ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247

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