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TPD3215M

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产品型号
TPD3215M
制造商
Transphorm
描述
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$178.83000
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$178.83000

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产品型号
TPD3215M
制造商
Transphorm
描述
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
70A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
34 mOhm @ 30A, 8V
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
28nC @ 8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2260pF @ 100V
功率 - 最大
470W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
Module
供应商设备封装
Module

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