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IRL6283MTRPBF

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产品型号
IRL6283MTRPBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
IRL6283MTRPBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
38A (Ta), 211A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
0.75 mOhm @ 50A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
1.1V @ 100µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
158nC @ 4.5V
VGS(最大)
±12V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
8292pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.1W (Ta), 63W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
DIRECTFET™ MD
封装/箱体
DirectFET™ Isometric MD

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