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SI8466EDB-T2-E1

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产品型号
SI8466EDB-T2-E1
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI8466EDB-T2-E1.pdf
总计:$0.18755
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产品型号
SI8466EDB-T2-E1
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
8V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
-
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.2V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
43 mOhm @ 2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
700mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
13nC @ 4.5V
VGS(最大)
±5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
710pF @ 4V
FET特点
-
功率耗散(最大)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
4-Microfoot
封装/箱体
4-UFBGA, WLCSP

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