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APTMC120HM17CT3AG

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产品型号
APTMC120HM17CT3AG
制造商
Microsemi
描述
POWER MODULE - SIC MOSFET
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$896.35560
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$896.35560

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产品型号
APTMC120HM17CT3AG
制造商
Microsemi
描述
POWER MODULE - SIC MOSFET
零件状态
Active
FET型
4 N-Channel
FET特点
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
147A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
17 mOhm @ 100A, 20V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 30mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
332nC @ 5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
5576pF @ 1000V
功率 - 最大
750W
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
供应商设备封装
SP3

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